DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準,它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數據讀預取)。換句話說,DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據,并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。

由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式,而不同于廣泛應用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式,FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程,從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術,第一代DDR的發展也走到了技術的極限,已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術的發展,前端總線對內存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

DDR2 SDRAM特性

  • Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V
  • SSTL_18 compatible inputs
  • Data masking per byte on Write commands
  • Programmable burst length of 4 or 8
  • Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6
  • Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
  • OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
  • ODT (On Die Termination) supported
  • Long-Term Support
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