EDO DRAM(Extended Data Output RAM),擴展數據輸出內存。是Micron公司的專利技術。有72線和168線之分、5V電壓、帶寬32bit、基本速度40ns以上。傳統的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit數據時必須輸出行地址和列地址并使其穩定一段時間后,然后才能讀寫有效的數據,而下一個bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成,只要規定的有效時間一到就可以準備輸出下一個地址,由此縮短了存取時間,效率比FPM DRAM高20%—30%。具有較高的性/價比,因為它的存取速度比FPM DRAM快15%,而價格才高出5%。FPM DRAM(Fast Page Mode RAM): 快速頁面模式內存。是一種在486時期被普遍應用的內存。72線、5V電壓、帶寬32bit、基本速度60ns以上。它的讀取周期是從DRAM陣列中某一行的觸發開始,然后移至內存地址所指位置,即包含所需要的數據。

  • Extended Data-Out (EDO) or Fast Page Mode (FPM) option
  • TTL compatible inputs and outputs:
  • 5V ± 10% and 3.3V ± 10%
  • Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden
  • Byte Write and Byte Read operation via two CAS
  • Industrial temperature range: -40°C to +85°C
  • Long-Term Support
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